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IC660TBD024 GE Genius I/O-Terminal-Bauwerk
| Herkunftsort | US-amerikanische |
|---|---|
| Markenname | GE |
| Modellnummer | IC660TBD024 |
| Min Bestellmenge | 1pc |
| Preis | $550 |
| Verpackung Informationen | Neue und ursprüngliche Fabrik, einzelne Kastenverpackung |
| Lieferzeit | 5-7 Tage |
| Zahlungsbedingungen | T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit | 999pcs |
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xProduktdetails
| Name | IC660TBD024 GE Genius I/O-Terminal-Bauwerk | Produkt-ID | IC660TBD024 |
|---|---|---|---|
| Qualität | 100% brandneu. | Gewährleistung | 1 Jahr |
| Produkt-Nettolänge | 250 mm | Produkt-Nutzbreite | 50 mm |
| Produktnettohöhe | 300 mm | Nettogewicht der Erzeugnisse | 3 kg |
| Hervorheben | GE Genius I/O-Terminalsammlung,IC660TBD024-Terminalsammlung |
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Produkt-Beschreibung
IC660TBD024 GE Genius I/O-Terminalmontage
Einzelheiten des Produkts:
Die IC660TBD024 ist Teil der Genius I/O Serie und wird von GE Fanuc hergestellt.
DCDer Betriebsspannungsbereich des Geräts beträgt 10 bis 30 Volt Gleichspannung, während die Nennspannung 12 oder
24Die Block-zu-Block-Isolation beträgt 850 Volt, während die maximale Wärmeabgabe 18 Watt beträgt.8
in KilogrammDer Betriebstemperaturbereich des
IC660TBD024 EndgerätDie Temperatur des Gerätes sollte zwischen 0 und 60 Grad Celsius liegen und der Temperaturbereich für die Lagerung sollte
zwischen -40 und 100- und 212 Grad Fahrenheit.
| IC660BBD110 | IC670MDL241 |
| IC660BBD120 | IC670MDL640 |
| IC660BBR101 | IC670MDL740 |
| Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt nicht. | IC670MDL930 |
| Der Wert der Verbrennungsmenge ist zu messen. | IC670TBM002 |
| IC660ELB910 | Die in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführten Daten sind zu berücksichtigen. |
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